半导体技术杂志论文

所属栏目：电子技术论文
发布时间：2014-07-12 10:03:50  更新时间：2014-07-12 10:46:46

　　《半导体技术杂志》创刊于1976年，本刊为月刊，主编：周立军。国内统一刊号：CN13-1109/TN，国际刊号：ISSN1003-353X。

　　《半导体技术杂志》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976 年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。《半导体技术》是中文核心期刊、中国科学引文数据库来源期刊、中国期刊网、中国学术期刊(光盘版)全文收录期刊、美国《剑桥科学文摘》、英国《SA,INSPEC》、和俄罗斯《AJ》来源期刊、中国学术期刊综合评价数据库来源期刊、中国科技论文统计源期刊,河北省优秀期刊。

　　《半导体技术杂志》获奖情况：中文核心期刊，中国科技论文统计用刊，中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)。

　　《半导体技术杂志》被以下数据库收录：CA化学文摘(美)(2009)，SA科学文摘(英)(2009)，CBST科学技术文献速报(日)(2009)，Pж(AJ)文摘杂志(俄)(2009)，中国科学引文数据库(CSCD—2008)。

　　半导体技术杂志期刊栏目

　　刊名：半导体技术

　　主管单位：工业和信息化部

　　主办单位：中国半导体行业协会,半导

　　ISSN：1003-353X

　　CN：13-1109/TN

　　周期：月刊

　　出版地：河北省石家庄市

　　半导体技术杂志设有栏目有：趋势与展望，专题报道，应用长廊，设计与开发，支撑技术，新品推荐。

　　半导体技术杂志常见论文发表范例：

　　345-347976nm高效率半导体激光器

　　348-351表面注入D-RESURF器件耐压模型

　　352-354+372基于双匹配的高效大功率Doherty功率放大器

　　355-3581.2～1.4GHz300W宽带硅大功率双极晶体管研制

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